全球手機晶片龍頭高通（Qualcomm）布局功率放大器（PA）等射頻（RF）元件策略轉向，擬由現行委由台積電代工的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）製程，轉為砷化鎵製程，宏捷科、穩懋等代工廠有機會受惠，對台積電影響則待觀察。
高通2014年推出自家的射頻元件方案「RF360」，是採用半導體CMOS製程的PA，具低成本優點，且由台積電以八吋廠製造，再搭配自家手機晶片出貨，與其他PA製造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應商採用砷化鎵（GaAs）製程不同。
不過，高通日前甫宣布與日系零組件大廠TDK合資，擬在新加坡設立新公司「RF360 Holdings Singapore」，其中TDK旗下從事射頻模組業務的子公司EPCOS，會將部分業務分拆出來成立「RF360」，代表高通對RF元件布局將有改變，成為日前法說會焦點之一。
高通執行長莫倫科夫（Steve Mollenkopf）回應時表示，與TDK合作推出的「gallium arsenide PAs」（即砷化鎵PA）將於2017年生產，這是一個比較合適的時間點，屆時會再尋找合適的應用市場。
法人認為，以莫倫科夫說法來看，代表高通旗下RF元件採用的PA製程，將由現行CMOS轉向砷化鎵，在這個架構下，未來勢必還要調整代工廠，由目前的台積電轉至穩懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。
由於高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場預期，今年會開始尋找合適代工廠，最快年底就會有樣品，明年就能上市。
在智慧型手機轉進第四代行動通訊（4G）時代，使用PA顆數至少七至八顆，比3G手機多出一到兩顆，加上這兩年4G手機數量呈跳躍式成長，帶動一波RF元件動能。
相較高通推出自家PA等RF元件，競爭對手聯發科則是採合作方式，在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及陸廠Vanchip的元件，避免周邊零組件供應出現長短腳現象。
第四代行動通訊（4G）需求成為今年智慧型手機成長動能，使用顆數大增的RF元件依舊扮演要角，全球手機晶片龍頭高通甚至表示，將成為RF領域有意義的「長期玩家」，代表將擴大投入這塊市場。
一般認為，今年智慧型手機市場成長幅度多在一成以內，不過4G加速取代3G的趨勢不變，尤其是中國大陸兩大電信營運商中國移動、中國聯通，已在去年底釋出今年將力推的4G手機目標合計近5億台。
加上新興國家對4G需求也高，甚至部分沒有4G基礎建設的國家也搶要4G手機，將成為今年相關零組件成長的驅動力。
鑑於4G手機RF元件使用顆數變多，高通執行長莫倫科夫坦言，這會是非常大的餅，過去高通一直沒有參與這塊業務，但這其實是一塊很好、有利可圖的業務。
他指出，對於RF元件市場，將需要功率放大器（PA）、濾波器、模組、底座風扇等RF相關元件，高通計劃切換為有意義且長期的「Player」。
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